检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

直流参数

MOSFET、IGBODE等模块产品；

检测电压：7500V 检测电流：6000A

国标，IEC

雪崩能量

MOSFET、IGBODE，第三代半导体器件等单管器件

检测电压：2500V 检测电流：200A

美军标

栅电阻

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件

检测阻0.1Ω～50Ω

JEDEC

开关时间

MOSFET、IGBODE及第三代半导体单管器件；

检测电压：1200V 检测电流：200A

美军标，国标，IEC等

开关时间

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：4000A

国标，IEC

反向恢复

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：1200V 检测电流：200A

美军标，国标，IEC等

反向恢复

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：4000A

国标，IEC

栅电荷

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：1200V 检测电流：200A

美军标，国标，IEC等

栅电荷

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：4000A

国标，IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：1200V 检测电流：1000A

美军标，国标，IEC等

短路耐量能力

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：10000A

国标，IEC

结电容

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：3000V

IEC

参数曲线扫描

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线

检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C

美军标，IEC等

热阻性能

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品

功率：250W

美军标，JEDEC

热阻性能

IGBT等模块产品

功率：4000W

美军标，JEDEC

ESD能力

MOSFET、IGBT、IC等产品

HBM电压：8000V；MM电压：800V

美军标，ANSI，JEDEC等

*正向浪涌能力

DIODE（Si/SiC）、整流桥

检测电流：800A

美军标，国标